令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問3

• ア: 1ビットのメモリセルは4個〜6個のトランジスタで構成される。
  誤り。これはSRAMの特徴です。FeRAM（強誘電体RAM）は強誘電体キャパシタと1つのトランジスタで構成されます。

• イ: データ保持のためにリフレッシュが必要である。
  誤り。リフレッシュが必要なのはDRAMです。FeRAMは強誘電体の残留分極により電源断でもデータが保持できるため、リフレッシュは不要です。

• ウ: バイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。
  誤り。これはフラッシュメモリの特徴です。FeRAMはバイト単位で高速に書換えできます。

• エ: フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。
  正しい。FeRAMは高速書換えと高い書換え耐性（書換え回数）を持つ不揮発性メモリであり、フラッシュメモリより優れます。

答え

エ: フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。