平成29年度春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問3
【問題3】
SLC(Single-Level Cell)型と比較したとき,MLC(Multi-Level Cell)型のフラッシュメモリの優れている点はどれか。
【解説】
ア: 1セル当たりの書換え時間が短い。
誤り。SLCの方が1セル当たりの書換え時間が短く,書き込み速度が速いです。
イ: 1セル当たりの記憶容量が大きい。
正しい。MLCは1セルに複数ビットを格納できるため,記憶容量が大きいのが特徴です。
ウ: 書換え可能回数が多い。
誤り。SLCの方が書換え可能回数が多く,耐久性に優れています。
エ: データ保持期間が長い。
誤り。SLCの方がデータ保持期間が長いです。
出典:平成29年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問3