平成28年度春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問13

ア: 1ビットのメモリセルは4～6個のトランジスタで構成される。
誤り。FeRAM（Ferroelectric RAM、強誘電体メモリ）は、1ビットの記憶に強誘電体キャパシタとトランジスタを使用し、構造がシンプルで高効率です。4～6個のトランジスタは必要ありません。

イ: データ保持のためにリフレッシュが必要である。
誤り。FeRAMは不揮発性メモリであり、データを保持するためにリフレッシュを必要としません。リフレッシュが必要なのはDRAMです。

ウ: バイト単位で書き換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。
誤り。FeRAMはバイト単位での書き換えが可能です。ブロック単位で書き換えを行うのはフラッシュメモリの特徴です。

エ: フラッシュメモリよりも書き換え可能回数が多く、書き換え速度も高速にできる。
正しい。FeRAMはフラッシュメモリよりも書き換え可能回数が多く、さらに書き換え速度も速いため、特定の用途で有利です。