平成25年度春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問13
【問題13】
TSV(Through-Silicon Via)を用いた半導体チップの3次元実装技術の説明として,適切なものはどれか。
積層した半導体チップ同士を貫通電極で接続する。
積層した半導体チップ同士をボンディングワイヤで接続する。
絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とする。
チップと同程度のサイズでパッケージに封入する。
【解説】
ア: 積層した半導体チップ同士を貫通電極で接続する。
正しい。TSV(Through-Silicon Via)は、半導体チップを積層して、シリコンを貫通する電極を使って接続する技術です。これにより、3次元的な回路設計が可能になります。
イ: 積層した半導体チップ同士をボンディングワイヤで接続する。
誤り。ボンディングワイヤは従来の接続方法であり、TSVの特徴ではありません。
ウ: 絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とする。
誤り。これはSOI(Silicon-On-Insulator)の説明に近く、TSV技術ではありません。
エ: チップと同程度のサイズでパッケージに封入する。
誤り。これはパッケージ技術に関する説明であり、TSV技術の特徴ではありません。
【答え】
ア: 積層した半導体チップ同士を貫通電極で接続する。
出典:平成25年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問13