平成31年度春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問2

ア: コンデンサに蓄えた電荷を用いて，データを記憶する。
誤り。これはDRAM（Dynamic Random Access Memory）の特徴であり、MLCフラッシュメモリの説明ではありません。

イ: 電気抵抗の値を用いて，データを記憶する。
誤り。これはReRAM（Resistive RAM）の特徴であり、MLCフラッシュメモリの説明ではありません。

ウ: 一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
正しい。MLC（Multi-Level Cell）は、1つのメモリセルに複数の電荷状態を記録し、それに応じて2ビット以上のデータを記憶する技術です。これにより、高密度のデータ記憶が可能になります。

エ: フリップフロップを利用して，データを記憶する。
誤り。これはSRAM（Static Random Access Memory）の特徴であり、MLCフラッシュメモリの説明ではありません。